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出產(chǎn)辦法不一樣質(zhì)料不一樣?，F(xiàn)有的出產(chǎn)辦法有以下這些： 

1，改進(jìn)西門子法——閉環(huán)式三氯氫硅氫復(fù)原法 

改進(jìn)西門子法是用氯和氫組成氯化氫（或外購(gòu)氯化氫），氯化氫和工業(yè)硅粉在必定的溫度下組成三氯氫硅（國(guó)內(nèi)出產(chǎn)廠家通常直接采購(gòu)三氯氫硅質(zhì)料），然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行別離精餾提純，提純后的三氯氫硅在氫復(fù)原爐內(nèi)進(jìn)行CVD反響出產(chǎn)高純多晶硅。 

國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有的多晶硅廠絕大有些選用此法出產(chǎn)電子級(jí)與太陽能級(jí)多晶硅。 

2，硅烷法——硅烷熱分化法 

硅烷（SiH4）是以四氯化硅氫化法、硅合金分化法、氫化物復(fù)原法、硅的直接氫化法等辦法制取。然后將制得的硅烷氣提純后在熱分化爐出產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅。曾經(jīng)只要日本小松把握此技能，由于發(fā)作過嚴(yán)峻的爆破事端后，沒有持續(xù)擴(kuò)大出產(chǎn)。但美國(guó)Asimi和SGS公司仍選用硅烷氣熱分化出產(chǎn)純度較高的電子級(jí)多晶硅商品。 

3，流化床法 

以四氯化硅、氫氣、氯化氫和工業(yè)硅為質(zhì)料在流化床內(nèi)（沸騰床）高溫高壓下生成三氯氫硅，將三氯氫硅再進(jìn)一步歧化加氫反響生成二氯二氫硅，繼而生成硅烷氣。 

制得的硅烷氣通入加有小顆粒硅粉的流化床反響爐內(nèi)進(jìn)行接連熱分化反響，生成粒狀多晶硅商品。由于在流化床反響爐內(nèi)參加反響的硅表面積大，出產(chǎn)效率高，電耗低與成本低，適用于大規(guī)模出產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅。僅有的缺陷是安全性差，危險(xiǎn)性大。其次是商品純度不高，但基本能滿意太陽能電池出產(chǎn)的運(yùn)用。 

此法是美國(guó)聯(lián)合碳化合物公司早年研究的技術(shù)技能?，F(xiàn)在世界上只要美國(guó)MEMC公司選用此法出產(chǎn)粒狀多晶硅。此法對(duì)比合適出產(chǎn)價(jià)廉的太陽能級(jí)多晶硅。 

4，太陽能級(jí)多晶硅新技術(shù)技能 

除了上述改進(jìn)西門子法、硅烷熱分化法、流化床反響爐法三種辦法出產(chǎn)電子級(jí)與太陽能級(jí)多晶硅以外，還涌現(xiàn)出幾種專門出產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅新技術(shù)技能。 

     1）冶金法出產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅 

據(jù)材料報(bào)道日本川崎制鐵公司選用冶金法制得的多晶硅已在世界上太陽能電池廠（SHARP公司）使用，現(xiàn)已構(gòu)成800噸/年的出產(chǎn)能力，全量供應(yīng)SHARP公司。 

首要技術(shù)是：挑選純度較好的工業(yè)硅（即冶金硅）進(jìn)行水平區(qū)熔單向凝結(jié)成硅錠，去掉硅錠中金屬雜質(zhì)集合的有些和表面有些后，進(jìn)行粗破壞與清潔，在等離子體融解爐中去掉硼雜質(zhì)，再進(jìn)行第2次水平區(qū)熔單向凝結(jié)成硅錠，去掉第2次區(qū)熔硅錠中金屬雜質(zhì)集合的有些和表面有些，經(jīng)粗破壞與清潔后，在電子束融解爐中去掉磷和碳雜質(zhì)，直接生成太陽能級(jí)多晶硅。 

      2）氣液堆積法出產(chǎn)粒狀太陽能級(jí)多晶硅 

據(jù)材料報(bào)道以日本Tokuyama公司為代表，現(xiàn)在10噸試驗(yàn)線在運(yùn)轉(zhuǎn)，200噸半商業(yè)化規(guī)模出產(chǎn)線在2005-2006年間投入試運(yùn)轉(zhuǎn)。 

首要技術(shù)是：將反響器中的石墨管的溫度增加到1500℃，流體三氯氫硅和氫氣從石墨管的上部寫入，在石墨管內(nèi)壁1500℃高溫處反響生成液體狀硅，然后滴入底部，溫度回升成為固體粒狀的太陽能級(jí)多晶硅。 

      3）重?fù)焦鑿U料提純法出產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅